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        抗刻蚀比的高低也决定了需要多厚的胶层才能实现对衬底一定深度的刻蚀。

        而曝光宽容度，南山化学一上来就能做到跟JSR差不多的水平，也是非常不容易的。

        这个指标有什么意义呢？

        光刻时使用的曝光剂量偏离了最佳曝光剂量，仍能获得较好的图形，说明这款光刻胶具有较大的曝光宽容度。

        正常情况下，光刻胶拥有一个最佳的曝光剂量，在光刻时，应该使整个晶圆包表面的曝光剂量一致，且尽可能接近最佳曝光剂量。

        但是实际生产过程中，由于受外界环境的影响必然会有剂量的偏差。

        曝光宽容度大的胶受曝光能量浮动或不均匀的影响较小，更适合生产需求。

        所以这个指标好，对于南山半导体来说是很有意义的。

        要不然你的光刻胶对工艺的要求很高的话，就会导致良品率变低，生产成本变高。

        “这么说来，我们的EUV光刻胶生产出来之后，立马就可以开始取代JSR等厂家的同类产品了？”

        这个问题是曹阳最关注的问题。

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